Schließen

Hochstrom-Leistungsinduktivität

TGCX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 70A

TGCL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance

High Q value, high energy storage

TGPGL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Soft saturation, can handle high peak current

TGPGX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 45A

TGO

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Vertical SMD structure, saving installation space

TGK

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Vertical DIP structure, saving installation space

TGPGL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 65A

TGPM

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current and stable frequency characteristics

Third mounting pad for greater stability and board adhesion

TGPE

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction, good heat dissipation

Magnetically shielded to minimize EMI

TGPF

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Magnetic shielding structure, low core loss

Third mounting pad for greater stability and board adhesion

TGGF

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Magnetic shielding structure, low core loss

Through-hole (TH) mounting for rugged board attachment

TGIA

Hochstrom-Leistungsinduktivität für Digital APM

Flat wire construction, low DC resistance

Magnetically shielded to minimize EMI

TGN

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume, high energy storage

High power output, low loss

TGL

Abgeschirmte Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction, low DC and AC resistance

Metal shield structure to minimize EMI

TGGE

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current load capability

Effectively reduce thermal aging

TGHX

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction with low resistance

High saturation current load capability

TGIL

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current load capability

Good insulation performance, low AC loss

TGHR

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High power output, low loss

Effectively reduce thermal aging

TGIS

Abgeschirmte Hochstrom-Leistungsinduktivität

High power output, low loss

Metal shield structure to minimize EMI

TGQU

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume, high energy storage

Ultra low DC resistance

TGTB

Molding Power Choke

Ultra low DC resistance, high power output

Excellent DC bias capability

TGBB

Molding Power Choke

Excellent DC bias capability

Shield structure, suitable for high density mounting

TGIR

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

High energy storage

Ultra low DC resistance

TGBC

Molding Power Choke

Excellent DC bias capability

Low core loss at high frequency

TGQI

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume,excellent SRF characteristic, high energy storage

High-precision DC resistance, high current

TGQE

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume,excellent SRF characteristic, high energy storage

High-precision DC resistance, high current

TGSB

High current molding power chokes

Small volume, high current, suitable for high density mounting

Combined material achieves low loss

TGAG

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Assemblage design, sturdy structure.

Hot dipped Sn plating provides low risk of whisker growth.

TGDV

Leistungsdrosseln für die Automobilindustrie

Lightweight design, high Q value, low impedance

AEC-Q200 qualified

TGRV

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Symmetrical air gap , improve saturation current capability

AEC-Q200 qualified

TGUB

Low profile molding power choke

High performance (Isat) realized by metal dust core

Low loss realized with low DCR

TGD

High current power inductor for Digital AMP

2 in 1 structure, saving space

High sound quality and low distortion

TGMX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction with low resistance

High power output, low loss

TGV

High current power inductor for Digital AMP

Magnetically shielded to minimize EMI

Low loss material, high power output

TGSC

High current molding power chokes

Small volume, high current, suitable for high density mounting

Combined material achieves low loss

TGE

High current power inductor for Digital AMP

Vertical 2 in 1 structure, saving space

High current, low core loss

TG

Trommelkern/SMD-Typ

Low DC resistance

Unshielded, with high inductance

TGBD

High current power inductor for Digital AMP

2 in 1 structure, saving space

High sound quality and low distortion

TGJ

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Low magnetic leakage

Wide frequency range

TGJR

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Shield structure

Wide frequency range

TGX

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Low profile design

Shield structure

TGIB

Trommelkern/SMD-Typ

Unshielded structure

Strong vibration resistance

TGEL

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Strong vibration resistance

Shield structure

TGIC

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Flat Shield structure

Suitable for high density mounting

TGY

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Shield structure

Suitable for high density mounting

TGRZ

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGRE

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGID

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGIF

Stab-Induktor

High saturation current

AEC-Q200 qualified

TGKH

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

TGSI

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

TGIJ

Shield/Drum-Kern/DIP-Typ

Shield structure, reduce EMI

Low cost and high efficiency

TGIK

Shield/Drum-Kern/DIP-Typ

Shield structure, reduce EMI

Low cost and high efficiency

TGHG

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

No. Teile-Nr. Typ Test Conditions Inductance(μH) Tolerance DCR Typical(mΩ) Isat(A) Irms(A) Working(℃) Länge Breite Höhe Datei
201 TGPF3218-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 1.35 55 50 -40~125 34.5 32 18.5
202 TGPF3218-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 1 80 55 -40~125 34.5 32 18.5
203 TGPF2918T-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 2.6 8.7 28 -40~125 27.9 27.9 17.8
204 TGPF2918T-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 2.6 14 28 -40~125 27.9 27.9 17.8
205 TGPF2918T-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 2.6 21.2 28 -40~125 27.9 27.9 17.8
206 TGPF2918T-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 2.6 31.2 28 -40~125 27.9 27.9 17.8
207 TGPF2918T-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 2.6 45 28 -40~125 27.9 27.9 17.8
208 TGPF2918T-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 2.6 61.2 28 -40~125 27.9 27.9 17.8
209 TGPF2918T-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 2.6 92.5 28 -40~125 27.9 27.9 17.8
210 TGPF2918H-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 2.15 10.5 30 -40~125 28 27 18.5
211 TGPF2918H-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 2.15 15 30 -40~125 28 27 18.5
212 TGPF2918H-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 2.15 24 30 -40~125 28 27 18.5
213 TGPF2918H-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 2.15 33 30 -40~125 28 27 18.5
214 TGPF2918H-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 2.15 48 30 -40~125 28 27 18.5
215 TGPF2918H-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 2.15 65 30 -40~125 28 27 18.5
216 TGPF2918H-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 2.15 94 30 -40~125 28 27 18.5
217 TGPF2915L-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 1.2 3.3 34 -40~125 27.9 27.9 15.4
218 TGPF2915L-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 1.2 6.8 34 -40~125 27.9 27.9 15.4
219 TGPF2915L-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 1.2 11 34 -40~125 27.9 27.9 15.4
220 TGPF2915L-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 1.2 17.6 34 -40~125 27.9 27.9 15.4
221 TGPF2915L-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 1.2 27.8 34 -40~125 27.9 27.9 15.4
222 TGPF2915L-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 1.2 39 34 -40~125 27.9 27.9 15.4
223 TGPF2915L-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 1.2 57 34 -40~125 27.9 27.9 15.4
224 TGPF2915L-2R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 1.2 84.8 34 -40~125 27.9 27.9 15.4
225 TGPF2915L-1R5MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.5 ±20% 1.2 100 34 -40~125 27.9 27.9 15.4
226 TGPF2915H-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 1.45 5.9 32 -40~125 27.9 27.9 15.4
227 TGPF2915H-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 1.45 9.6 32 -40~125 27.9 27.9 15.4
228 TGPF2915H-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 1.45 15 32 -40~125 27.9 27.9 15.4
229 TGPF2915H-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 1.45 23 32 -40~125 27.9 27.9 15.4
230 TGPF2915H-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 1.45 36 32 -40~125 27.9 27.9 15.4
231 TGPF2915H-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 1.45 50 32 -40~125 27.9 27.9 15.4
232 TGPF2915H-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 1.45 68 32 -40~125 27.9 27.9 15.4
233 TGPF2915H-2R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 1.45 100 32 -40~125 27.9 27.9 15.4
234 TGPF2016-470MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 47 ±20% 13 6.5 12 -40~125 22.5 21.8 16.5
235 TGPF2016-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 13 9 12 -40~125 22.5 21.8 16.5
236 TGPF2016-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 5.28 10 16 -40~125 22.5 21.8 16.5
237 TGPF2016-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 5.28 24 16 -40~125 22.5 21.8 16.5
238 TGPF2016-8R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8.2 ±20% 3.57 25 20 -40~125 22.5 21.8 16.5
239 TGPF2016-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 3.57 25 20 -40~125 22.5 21.8 16.5
240 TGPF2016-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 3.3 42 21 -40~125 22.5 21.8 16.5
241 TGPF2014B-470MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 47 ±20% 34 7.5 6 -40~125 21 18.5 14.5
242 TGPF2014B-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 21 9.5 7.5 -40~125 21 18.5 14.5
243 TGPF2014B-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 14 14.5 9.5 -40~125 21 18.5 14.5
244 TGPF2014B-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 10.6 18 11 -40~125 21 18.5 14.5
245 TGPF2014B-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 10.6 25.5 11 -40~125 21 18.5 14.5
246 TGPF2014-470MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 47 ±20% 10 8.5 11.5 -40~125 22.5 21.8 14.5
247 TGPF2014-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 9.28 11 12 -40~125 22.5 21.8 14.5
248 TGPF2014-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 8.6 15 12.5 -40~125 22.5 21.8 14.5
249 TGPF2014-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 7.1 21 14 -40~125 22.5 21.8 14.5
250 TGPF2014-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 6.5 23 16 -40~125 22.5 21.8 14.5
251 TGPF2014-8R6MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8.6 ±20% 5.9 25 17 -40~125 22.5 21.8 14.5
252 TGPF2014-7R0MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 7 ±20% 4.25 30 21 -40~125 22.5 21.8 14.5
253 TGPF2014-5R5MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 5.5 ±20% 3.3 33 22 -40~125 22.5 21.8 14.5
254 TGPF2014-4R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.2 ±20% 2.54 38 24 -40~125 22.5 21.8 14.5
255 TGPF2014-3R1MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.1 ±20% 1.92 45 26 -40~125 22.5 21.8 14.5
256 TGPF2014-2R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 1.32 52 30.5 -40~125 22.5 21.8 14.5
257 TGPF2014-1R4MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.4 ±20% 0.86 60 31.5 -40~125 22.5 21.8 14.5
258 TGPF2014-R70MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.7 ±20% 0.66 75 32 -40~125 22.5 21.8 14.5
259 TGPF2012-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 6.8 7 14 -40~125 22.5 21.8 12
260 TGPF2012-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 6.8 10 14 -40~125 22.5 21.8 12
261 TGPF2012-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 4.8 10 16 -40~125 22.5 21.8 12
262 TGPF2012-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 4.8 13 16 -40~125 22.5 21.8 12
263 TGPF2012-8R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8.2 ±20% 1.78 13 28 -40~125 22.5 21.8 12
264 TGPF2012-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 1.78 18 28 -40~125 22.5 21.8 12
265 TGPF2012-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 1.78 24 28 -40~125 22.5 21.8 12
266 TGPF2012-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 1.78 35 28 -40~125 22.5 21.8 12
267 TGPF2012-2R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 1.78 50 28 -40~125 22.5 21.8 12
268 TGPF2012-1R5MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.5 ±20% 1.15 60 35 -40~125 22.5 21.8 12
269 TGPF2012-1R0MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1 ±20% 1.15 62 35 -40~125 22.5 21.8 12
270 TGPF2012-R82MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.82 ±20% 0.4 55 45 -40~125 22.5 21.8 12
271 TGPF2012-R47MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.47 ±20% 0.4 75 45 -40~125 22.5 21.8 12
272 TGPGX1265-8R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 8 ±20% 10.9 15.8 8.5 -50~150 12.8 9.8 6.3
273 TGPGX1265-6R8M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 6.8 ±20% 9.2 17 9.5 -50~150 12.8 9.8 6.3
274 TGPGX1265-5R6M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 5.6 ±20% 8.18 19 11 -50~150 12.8 9.8 6.3
275 TGPGX1265-4R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 4.7 ±20% 6.16 21 12 -50~150 12.8 9.8 6.3
276 TGPGX1265-3R3M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 3.3 ±20% 5.12 25 13 -50~150 12.8 9.8 6.3
277 TGPGX1265-2R6M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 2.6 ±20% 4 28 15 -50~150 12.8 9.8 6.3
278 TGPGX1265-2R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 2.2 ±20% 3.04 30 17 -50~150 12.8 9.8 6.3
279 TGPGX1265-1R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 1.5 ±20% 2.3 38 20 -50~150 12.8 9.8 6.3
280 TGPGX1265-1R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 1 ±20% 1.5 47 24 -50~150 12.8 9.8 6.3
281 TGPGX1056-100M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 10 ±20% 16.5 9 5.8 -50~150 10.2 7.2 5.3
282 TGPGX1056-8R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 8.2 ±20% 13.5 10.1 6.2 -50~150 10.2 7.2 5.3
283 TGPGX1056-6R8M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 6.8 ±20% 11.7 11 7.5 -50~150 10.2 7.2 5.3
284 TGPGX1056-5R6M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 5.6 ±20% 9.3 12.3 8 -50~150 10.2 7.2 5.3
285 TGPGX1056-4R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 4.7 ±20% 6.85 13 8.5 -50~150 10.2 7.2 5.3
286 TGPGX1056-3R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 3.5 ±20% 5.6 15.5 9.5 -50~150 10.2 7.2 5.3
287 TGPGX1056-2R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 2.7 ±20% 4.1 18 11 -50~150 10.2 7.2 5.3
288 TGPGX1056-2R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 2 ±20% 2.91 21 13 -50~150 10.2 7.2 5.3
289 TGPGX1056-1R3M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 1.3 ±20% 2.2 27 15 -50~150 10.2 7.2 5.3
290 TGPIL1275-560M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 56 ±20% 73.7 3.9 2.9 -40~125 12.7 12.5 7.5
291 TGPIL1275-470M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 47 ±20% 66.7 4.3 3.2 -40~125 12.7 12.5 7.5
292 TGPIL1275-390M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 39 ±20% 50.9 4.6 3.7 -40~125 12.7 12.5 7.5
293 TGPIL1275-330M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 47 5 3.9 -40~125 12.7 12.5 7.5
294 TGPIL1275-280M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 28 ±20% 36.5 5.5 4.5 -40~125 12.7 12.5 7.5
295 TGPIL1275-230M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 23 ±20% 29.2 6.1 5 -40~125 12.7 12.5 7.5
296 TGPIL1275-150M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 21 8.1 6 -40~125 12.7 12.5 7.5
297 TGPIL1275-100M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 14.2 9.8 7.5 -40~125 12.7 12.5 7.5
298 TGPIL1275-8R8M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8.8 ±20% 11.7 10.5 8.2 -40~125 12.7 12.5 7.5
299 TGPIL1275-7R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 7.5 ±20% 10 11.4 8.9 -40~125 12.7 12.5 7.5
300 TGPIL1275-6R3M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.3 ±20% 7.8 12.7 10 -40~125 12.7 12.5 7.5

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