Schließen

Hochstrom-Leistungsinduktivität

TGCX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 70A

TGCL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance

High Q value, high energy storage

TGPGL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Soft saturation, can handle high peak current

TGPGX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 45A

TGO

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Vertical SMD structure, saving installation space

TGK

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Vertical DIP structure, saving installation space

TGPGL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 65A

TGPM

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current and stable frequency characteristics

Third mounting pad for greater stability and board adhesion

TGPE

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction, good heat dissipation

Magnetically shielded to minimize EMI

TGPF

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Magnetic shielding structure, low core loss

Third mounting pad for greater stability and board adhesion

TGGF

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Magnetic shielding structure, low core loss

Through-hole (TH) mounting for rugged board attachment

TGIA

Hochstrom-Leistungsinduktivität für Digital APM

Flat wire construction, low DC resistance

Magnetically shielded to minimize EMI

TGN

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume, high energy storage

High power output, low loss

TGL

Abgeschirmte Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction, low DC and AC resistance

Metal shield structure to minimize EMI

TGGE

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current load capability

Effectively reduce thermal aging

TGHX

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction with low resistance

High saturation current load capability

TGIL

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current load capability

Good insulation performance, low AC loss

TGHR

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High power output, low loss

Effectively reduce thermal aging

TGIS

Abgeschirmte Hochstrom-Leistungsinduktivität

High power output, low loss

Metal shield structure to minimize EMI

TGQU

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume, high energy storage

Ultra low DC resistance

TGTB

Molding Power Choke

Ultra low DC resistance, high power output

Excellent DC bias capability

TGBB

Molding Power Choke

Excellent DC bias capability

Shield structure, suitable for high density mounting

TGIR

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

High energy storage

Ultra low DC resistance

TGBC

Molding Power Choke

Excellent DC bias capability

Low core loss at high frequency

TGQI

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume,excellent SRF characteristic, high energy storage

High-precision DC resistance, high current

TGQE

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume,excellent SRF characteristic, high energy storage

High-precision DC resistance, high current

TGSB

High current molding power chokes

Small volume, high current, suitable for high density mounting

Combined material achieves low loss

TGAG

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Assemblage design, sturdy structure.

Hot dipped Sn plating provides low risk of whisker growth.

TGDV

Leistungsdrosseln für die Automobilindustrie

Lightweight design, high Q value, low impedance

AEC-Q200 qualified

TGRV

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Symmetrical air gap , improve saturation current capability

AEC-Q200 qualified

TGUB

Low profile molding power choke

High performance (Isat) realized by metal dust core

Low loss realized with low DCR

TGD

High current power inductor for Digital AMP

2 in 1 structure, saving space

High sound quality and low distortion

TGMX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction with low resistance

High power output, low loss

TGV

High current power inductor for Digital AMP

Magnetically shielded to minimize EMI

Low loss material, high power output

TGSC

High current molding power chokes

Small volume, high current, suitable for high density mounting

Combined material achieves low loss

TGE

High current power inductor for Digital AMP

Vertical 2 in 1 structure, saving space

High current, low core loss

TG

Trommelkern/SMD-Typ

Low DC resistance

Unshielded, with high inductance

TGBD

High current power inductor for Digital AMP

2 in 1 structure, saving space

High sound quality and low distortion

TGJ

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Low magnetic leakage

Wide frequency range

TGJR

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Shield structure

Wide frequency range

TGX

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Low profile design

Shield structure

TGIB

Trommelkern/SMD-Typ

Unshielded structure

Strong vibration resistance

TGEL

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Strong vibration resistance

Shield structure

TGIC

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Flat Shield structure

Suitable for high density mounting

TGY

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Shield structure

Suitable for high density mounting

TGRZ

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGRE

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGID

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGIF

Stab-Induktor

High saturation current

AEC-Q200 qualified

TGKH

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

TGSI

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

TGIJ

Shield/Drum-Kern/DIP-Typ

Shield structure, reduce EMI

Low cost and high efficiency

TGIK

Shield/Drum-Kern/DIP-Typ

Shield structure, reduce EMI

Low cost and high efficiency

TGHG

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

No. Teile-Nr. Typ Test Conditions Inductance(μH) Tolerance DCR Typical(mΩ) Isat(A) Irms(A) Working(℃) Länge Breite Höhe Datei
401 TGPIL1045-R18M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.18 ±20% 0.68 38 24 -40~125 10.2 10 4.5
402 TGPM1480S-470M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 47 ±20% 42.6 5 3 -40~125 14.8 14.5 8
403 TGPM1480S-9R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 9.5 ±20% 11.1 14 8.5 -40~125 14.8 14.5 8
404 TGPM1480S-7R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 7.7 ±20% 8.21 15.5 10 -40~125 14.8 14.5 8
405 TGPM1480S-6R1M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.1 ±20% 6.5 18.5 11 -40~125 14.8 14.5 8
406 TGPM1480S-4R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 5.02 19 12.5 -40~125 14.8 14.5 8
407 TGPM1480S-3R4M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.4 ±20% 4.14 23 16 -40~125 14.8 14.5 8
408 TGPM1480S-2R4M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.4 ±20% 2.7 28 17.5 -40~125 14.8 14.5 8
409 TGPM1480S-1R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.5 ±20% 1.69 34 20 -40~125 14.8 14.5 8
410 TGPM1480S-R90M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.9 ±20% 1.22 45 21.5 -40~125 14.8 14.5 8
411 TGPM1480S-R40M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.4 ±20% 0.98 66 23 -40~125 14.8 14.5 8
412 TGPM1480L-120M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 12 ±20% 11.1 10 8.5 -40~125 14.8 14.5 8
413 TGPM1480L-100M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 8.21 11.5 10 -40~125 14.8 14.5 8
414 TGPM1480L-8R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8 ±20% 6.5 12.5 11 -40~125 14.8 14.5 8
415 TGPM1480L-6R1M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.1 ±20% 5.02 14.5 12.5 -40~125 14.8 14.5 8
416 TGPM1480L-4R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.5 ±20% 4.14 17 16 -40~125 14.8 14.5 8
417 TGPM1480L-3R1M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.1 ±20% 2.7 20 17.5 -40~125 14.8 14.5 8
418 TGPM1480L-2R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2 ±20% 1.69 24.5 20 -40~125 14.8 14.5 8
419 TGPM1480L-1R1M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.1 ±20% 1.22 33 21.5 -40~125 14.8 14.5 8
420 TGPM1480L-R50M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.5 ±20% 0.98 59.5 23 -40~125 14.8 14.5 8
421 TGPM1480H-7R3M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 7.3 ±20% 11.1 18.3 8.5 -40~125 14.8 14.5 8
422 TGPM1480H-5R9M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 5.9 ±20% 8.21 20.5 10 -40~125 14.8 14.5 8
423 TGPM1480H-4R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 6.5 22 11 -40~125 14.8 14.5 8
424 TGPM1480H-3R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.5 ±20% 5.02 26 12.5 -40~125 14.8 14.5 8
425 TGPM1480H-2R6M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.6 ±20% 4.14 30.5 16 -40~125 14.8 14.5 8
426 TGPM1480H-1R8M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.8 ±20% 2.7 37 17.5 -40~125 14.8 14.5 8
427 TGPM1480H-1R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.2 ±20% 1.69 44.7 20 -40~125 14.8 14.5 8
428 TGPM1480H-R70M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.7 ±20% 1.22 58 21.5 -40~125 14.8 14.5 8
429 TGPM1480H-R30M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.3 ±20% 0.98 87.6 23 -40~125 14.8 14.5 8
430 TGPM1460-100M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 11.5 9.5 8.2 -40~125 14.8 14.5 6
431 TGPM1460-8R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8.2 ±20% 11.5 11 8.2 -40~125 14.8 14.5 6
432 TGPM1460-6R1M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.1 ±20% 8.42 13.5 9.5 -40~125 14.8 14.5 6
433 TGPM1460-5R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 5 ±20% 8.42 15.2 9.5 -40~125 14.8 14.5 6
434 TGPM1460-4R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.2 ±20% 5.67 17 12 -40~125 14.8 14.5 6
435 TGPM1460-3R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.5 ±20% 5.67 18.7 12 -40~125 14.8 14.5 6
436 TGPM1460-2R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.7 ±20% 3.8 20.5 15 -40~125 14.8 14.5 6
437 TGPM1460-2R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 3.8 24.5 15 -40~125 14.8 14.5 6
438 TGPM1460-1R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.5 ±20% 2.5 27.5 19.5 -40~125 14.8 14.5 6
439 TGPM1460-1R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.2 ±20% 2.5 35 19.5 -40~125 14.8 14.5 6
440 TGPM1460-R68M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.68 ±20% 1.4 40 23 -40~125 14.8 14.5 6
441 TGPM1460-R56M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.56 ±20% 1.4 40 23 -40~125 14.8 14.5 6
442 TGPM1265-420M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 42 ±20% 23.5 2.4 5.3 -40~125 12.7 12.5 6.5
443 TGPM1265-250M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 25 ±20% 16.8 3.8 5.8 -40~125 12.7 12.5 6.5
444 TGPM1265-170M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 17 ±20% 13.8 5 6 -40~125 12.7 12.5 6.5
445 TGPM1265-100M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 12.5 9.3 7.1 -40~125 12.7 12.5 6.5
446 TGPM1265-8R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8.2 ±20% 9.5 10 8.2 -40~125 12.7 12.5 6.5
447 TGPM1265-6R8M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 8 10.5 10 -40~125 12.7 12.5 6.5
448 TGPM1265-5R6M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 5.6 ±20% 6.3 11.5 10.5 -40~125 12.7 12.5 6.5
449 TGPM1265-4R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 6.3 13.5 10.5 -40~125 12.7 12.5 6.5
450 TGPM1265-4R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4 ±20% 4.5 13.5 12 -40~125 12.7 12.5 6.5
451 TGPM1265-3R3M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 4.5 16.5 12 -40~125 12.7 12.5 6.5
452 TGPM1265-2R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 2.94 22 15.5 -40~125 12.7 12.5 6.5
453 TGPM1265-1R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.5 ±20% 2.26 26 17.5 -40~125 12.7 12.5 6.5
454 TGPM1265-R50M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.5 ±20% 0.87 35 29.5 -40~125 12.7 12.5 6.5
455 TGPM1260-170M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 17 ±20% 19.8 5 5.5 -40~125 12.7 12.5 6
456 TGPM1260-100M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 11.2 7 8 -40~125 12.7 12.5 6
457 TGPM1260-6R8M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 8.5 10.5 8.2 -40~125 12.7 12.5 6
458 TGPM1260-4R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 6.5 11.5 9.5 -40~125 12.7 12.5 6
459 TGPM1260-4R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4 ±20% 5.3 13 11.5 -40~125 12.7 12.5 6
460 TGPM1260-2R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 2.2 19 17 -40~125 12.7 12.5 6
461 TGPM1260-1R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.2 ±20% 1.75 21 19 -40~125 12.7 12.5 6
462 TGPM1260-1R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1 ±20% 1.7 28 20 -40~125 12.7 12.5 6
463 TGPM1256-100M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 8.6 7 7.6 -40~125 12.7 12.6 5.45
464 TGPM1256-8R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8 ±20% 8.6 8.5 7.6 -40~125 12.7 12.6 5.45
465 TGPM1256-6R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6 ±20% 5.23 9 9.4 -40~125 12.7 12.6 5.45
466 TGPM1256-4R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 5.23 11 9.4 -40~125 12.7 12.6 5.45
467 TGPM1256-4R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4 ±20% 5.23 12 9.4 -40~125 12.7 12.6 5.45
468 TGPM1256-2R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.7 ±20% 2.6 13 13 -40~125 12.7 12.6 5.45
469 TGPM1256-1R8M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.8 ±20% 2.6 19 13 -40~125 12.7 12.6 5.45
470 TGPM1256-1R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1 ±20% 2.6 33 13 -40~125 12.7 12.6 5.45
471 TGPM1256-R65M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.65 ±20% 0.82 27 16.9 -40~125 12.7 12.6 5.45
472 TGPM1256-R33M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.33 ±20% 0.82 41 16.9 -40~125 12.7 12.6 5.45
473 TGPM1250-6R8M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 11.4 9.2 7.5 -40~125 12.7 12.5 5
474 TGPM1250-4R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4 ±20% 6.1 12 10 -40~125 12.7 12.5 5
475 TGPM1250-3R3M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 6.1 14 10 -40~125 12.7 12.5 5
476 TGPM1250-2R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.7 ±20% 4.3 14.3 11.5 -40~125 12.7 12.5 5
477 TGPM1250-2R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 4.3 16.5 11.5 -40~125 12.7 12.5 5
478 TGPM1250-1R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.5 ±20% 2.74 18 15 -40~125 12.7 12.5 5
479 TGPM1250-1R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1 ±20% 1.77 21 19 -40~125 12.7 12.5 5
480 TGPM1250-R47M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.47 ±20% 0.85 31 26.5 -40~125 12.7 12.5 5
481 TGQE1070-R33L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1V 0.33 ±15% 0.17 43 68 -40~125 10 10 7
482 TGQE1070-R18L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1V 0.18 ±15% 0.17 68 68 -40~125 10 10 7
483 TGQE1070-R10L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1V 0.1 ±15% 0.17 113 68 -40~125 10 10 7
484 TGQI1060-R50K Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.5 ±15% 0.66 26 20 -40~125 9.8 9.8 5.75
485 TGQI1060-R45L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.45 ±15% 0.66 29 20 -40~125 9.8 9.8 5.75
486 TGQI1060-R30L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.3 ±15% 0.66 43 20 -40~125 9.8 9.8 5.75
487 TGQI1060-R20L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.2 ±15% 0.66 60 20 -40~125 9.8 9.8 5.75
488 TGQI1060-R10L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.1 ±15% 0.66 120 20 -40~125 9.8 9.8 5.75
489 TGQU1083-R15L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.15 ±15% 0.18 71 70 -40~125 10 8 8.3
490 TGQU1083-R12L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.12 ±15% 0.18 96 70 -40~125 10 8 8.3
491 TGQU1050-R25K Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.25 ±15% 0.23 25 37 -40~125 10 6.8 5
492 TGQU1050-R22K Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.22 ±15% 0.23 33 37 -40~125 10 6.8 5
493 TGQU1050-R20K Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.2 ±15% 0.23 43 37 -40~125 10 6.8 5
494 TGQU1050-R16L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.16 ±15% 0.23 53 37 -40~125 10 6.8 5
495 TGQU1050-R12L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.12 ±15% 0.23 60 37 -40~125 10 6.8 5
496 TGQU1050-R10L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.1 ±15% 0.23 73 37 -40~125 10 6.8 5
497 TGQU1050-R08L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.08 ±15% 0.23 90 37 -40~125 10 6.8 5
498 TGQU0950H-R07L Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/1.0V 0.07 ±15% 0.14 100 65 -40~125 9.3 6.8 5.3
499 TGO1060-R56M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 0.56 ±20% 1.03 45 25 -40~125 10 5.7 12
500 TGRV2716-150K Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±10% 1.92 23 33.1 -55~150 27.8 25.8 16.9

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