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Induktivität für Digital AMP

TGCX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 70A

TGCL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance

High Q value, high energy storage

TGPGL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Soft saturation, can handle high peak current

TGPGX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 45A

TGO

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Vertical SMD structure, saving installation space

TGK

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Vertical DIP structure, saving installation space

TGPGL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 65A

TGPM

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current and stable frequency characteristics

Third mounting pad for greater stability and board adhesion

TGPE

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction, good heat dissipation

Magnetically shielded to minimize EMI

TGPF

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Magnetic shielding structure, low core loss

Third mounting pad for greater stability and board adhesion

TGGF

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Magnetic shielding structure, low core loss

Through-hole (TH) mounting for rugged board attachment

TGIA

Hochstrom-Leistungsinduktivität für Digital APM

Flat wire construction, low DC resistance

Magnetically shielded to minimize EMI

TGN

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume, high energy storage

High power output, low loss

TGL

Abgeschirmte Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction, low DC and AC resistance

Metal shield structure to minimize EMI

TGGE

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current load capability

Effectively reduce thermal aging

TGHX

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction with low resistance

High saturation current load capability

TGIL

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current load capability

Good insulation performance, low AC loss

TGHR

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High power output, low loss

Effectively reduce thermal aging

TGIS

Abgeschirmte Hochstrom-Leistungsinduktivität

High power output, low loss

Metal shield structure to minimize EMI

TGQU

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume, high energy storage

Ultra low DC resistance

TGTB

Molding Power Choke

Ultra low DC resistance, high power output

Excellent DC bias capability

TGBB

Molding Power Choke

Excellent DC bias capability

Shield structure, suitable for high density mounting

TGIR

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

High energy storage

Ultra low DC resistance

TGBC

Molding Power Choke

Excellent DC bias capability

Low core loss at high frequency

TGQI

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume,excellent SRF characteristic, high energy storage

High-precision DC resistance, high current

TGQE

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume,excellent SRF characteristic, high energy storage

High-precision DC resistance, high current

TGSB

High current molding power chokes

Small volume, high current, suitable for high density mounting

Combined material achieves low loss

TGAG

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Assemblage design, sturdy structure.

Hot dipped Sn plating provides low risk of whisker growth.

TGDV

Leistungsdrosseln für die Automobilindustrie

Lightweight design, high Q value, low impedance

AEC-Q200 qualified

TGRV

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Symmetrical air gap , improve saturation current capability

AEC-Q200 qualified

TGUB

Low profile molding power choke

High performance (Isat) realized by metal dust core

Low loss realized with low DCR

TGD

High current power inductor for Digital AMP

2 in 1 structure, saving space

High sound quality and low distortion

TGMX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction with low resistance

High power output, low loss

TGV

High current power inductor for Digital AMP

Magnetically shielded to minimize EMI

Low loss material, high power output

TGSC

High current molding power chokes

Small volume, high current, suitable for high density mounting

Combined material achieves low loss

TGE

High current power inductor for Digital AMP

Vertical 2 in 1 structure, saving space

High current, low core loss

TG

Trommelkern/SMD-Typ

Low DC resistance

Unshielded, with high inductance

TGBD

High current power inductor for Digital AMP

2 in 1 structure, saving space

High sound quality and low distortion

TGJ

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Low magnetic leakage

Wide frequency range

TGJR

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Shield structure

Wide frequency range

TGX

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Low profile design

Shield structure

TGIB

Trommelkern/SMD-Typ

Unshielded structure

Strong vibration resistance

TGEL

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Strong vibration resistance

Shield structure

TGIC

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Flat Shield structure

Suitable for high density mounting

TGY

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Shield structure

Suitable for high density mounting

TGRZ

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGRE

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGID

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGIF

Stab-Induktor

High saturation current

AEC-Q200 qualified

TGKH

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

TGSI

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

TGIJ

Shield/Drum-Kern/DIP-Typ

Shield structure, reduce EMI

Low cost and high efficiency

TGIK

Shield/Drum-Kern/DIP-Typ

Shield structure, reduce EMI

Low cost and high efficiency

TGHG

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

No. Teile-Nr. Typ Test Conditions Inductance(μH) Tolerance DCR Typical(mΩ) Isat(A) Irms(A) Working(℃) Länge Breite Höhe Datei
1 TGV3119FA-220M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 22 ±20% 3 35 30 -40~125 31 19 33
2 TGV3119FA-150M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 15 ±20% 3 50 30 -40~125 31 19 33
3 TGV3119FA-100M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 10 ±20% 3 67 30 -40~125 31 19 33
4 TGV3119-330M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 33 ±20% 5.4 21.5 15.5 -40~125 31 19 33
5 TGV3119-220M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 22 ±20% 5.4 33 15.5 -40~125 31 19 33
6 TGV3119-180M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 18 ±20% 4.8 36.5 17 -40~125 31 19 33
7 TGV3119-150M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 15 ±20% 5.4 47 15.5 -40~125 31 19 33
8 TGV3119-120M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 12 ±20% 4.8 53 17 -40~125 31 19 33
9 TGV3119-100M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 10 ±20% 4.8 61 17 -40~125 31 19 33
10 TGV3119-8R2M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 8.2 ±20% 2.6 55 26 -40~125 31 19 33
11 TGV3119-5R6M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 5.6 ±20% 2.2 65 28 -40~125 31 19 33
12 TGV3119-5R0M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 5 ±20% 2.2 70 28 -40~125 31 19 33
13 TGV2320FA-220M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 22 ±20% 3.3 21 31 -40~125 23 20 23
14 TGV2320FA-150M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 15 ±20% 3.3 31 31 -40~125 23 20 23
15 TGV2320FA-100M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 10 ±20% 3.3 42 31 -40~125 23 20 23
16 TGV2320-330M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 33 ±20% 7.8 13.6 14 -40~125 23 20 23
17 TGV2320-220M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 22 ±20% 7.8 21 14 -40~125 23 20 23
18 TGV2320-180M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 18 ±20% 7.8 25.7 14 -40~125 23 20 23
19 TGV2320-150M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 15 ±20% 7.8 30.4 14 -40~125 23 20 23
20 TGV2320-120M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 12 ±20% 7.8 37 14 -40~125 23 20 23
21 TGV2320-100M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 10 ±20% 7.8 43 14 -40~125 23 20 23
22 TGV2315S-330M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 33 ±20% 16.5 16 8.6 -40~125 23 14.5 23
23 TGV2315S-220M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 22 ±20% 16.5 23 8.6 -40~125 23 14.5 23
24 TGV2315S-150M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 15 ±20% 14 31 9.2 -40~125 23 14.5 23
25 TGV2315S-100M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 10 ±20% 12.6 38 9.4 -40~125 23 14.5 23
26 TGV2315FA-220M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 22 ±20% 5.05 23.5 14 -40~125 23 14.5 23
27 TGV2315FA-150M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 15 ±20% 5.05 30.5 14 -40~125 23 14.5 23
28 TGV2315FA-100M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 10 ±20% 5.05 45.5 14 -40~125 23 14.5 23
29 TGV2315-470M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 47 ±20% 7.2 11 13 -40~125 23 14.5 23
30 TGV2315-330M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 33 ±20% 7.2 12 13 -40~125 23 14.5 23
31 TGV2315-220M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 22 ±20% 7.2 20.5 13 -40~125 23 14.5 23
32 TGV2315-180M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 18 ±20% 6.5 23 14 -40~125 23 14.5 23
33 TGV2315-150M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 15 ±20% 7.2 30.2 13 -40~125 23 14.5 23
34 TGV2315-120M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 12 ±20% 6.5 33.5 14 -40~125 23 14.5 23
35 TGV2315-100M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 10 ±20% 6.5 39 14 -40~125 23 14.5 23
36 TGV1715F-330M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 33 ±20% 7.3 9.4 17 -40~125 17.5 15 19.3
37 TGV1715F-220M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 22 ±20% 7.3 14.2 17 -40~125 17.5 15 19.3
38 TGV1715F-180M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 18 ±20% 7.3 17.5 17 -40~125 17.5 15 19.3
39 TGV1715F-150M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 15 ±20% 7.3 20 17 -40~125 17.5 15 19.3
40 TGV1715F-120M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 12 ±20% 7.3 25.1 17 -40~125 17.5 15 19.3
41 TGV1715F-100M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 10 ±20% 7.3 29 17 -40~125 17.5 15 19.3
42 TGV1715F-7R0M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 7 ±20% 6 33.7 19 -40~125 17.5 15 19.3
43 TGV1715-560M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 56 ±20% 12 6 8.2 -40~125 17.5 15 19.3
44 TGV1715-330M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 33 ±20% 12 8 8.2 -40~125 17.5 15 19.3
45 TGV1715-220M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 22 ±20% 12 13 8.2 -40~125 17.5 15 19.3
46 TGV1715-180M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 18 ±20% 12 16 8.2 -40~125 17.5 15 19.3
47 TGV1715-150M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 15 ±20% 12 18 8.2 -40~125 17.5 15 19.3
48 TGV1715-120M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 12 ±20% 12 25 8.2 -40~125 17.5 15 19.3
49 TGV1715-100M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 10 ±20% 12 26 8.2 -40~125 17.5 15 19.3
50 TGV1521C-220M Induktivität für Digital AMP 100KHz/0.1V 22 ±20% 13.5 10 8 -40~125 21.5 15 15.7
51 TGV1521C-150M Induktivität für Digital AMP 100KHz/0.1V 15 ±20% 12.5 12.5 8.5 -40~125 21.5 15 15.7
52 TGV1521C-100M Induktivität für Digital AMP 100KHz/0.1V 10 ±20% 7 15 11 -40~125 21.5 15 15.7
53 TGV1521C-8R2M Induktivität für Digital AMP 100KHz/0.1V 8.2 ±20% 6.3 16 12 -40~125 21.5 15 15.7
54 TGV1495J-100M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 10 ±20% 13.5 18 7 -40~125 14 9.5 16
55 TGV1495D-100M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 10 ±20% 6.8 15 10 -40~125 14 9.5 16
56 TGV1495A-330M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 33 ±20% 13.7 6.2 7 -40~125 14 9.5 16
57 TGV1495A-270M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 27 ±20% 12.7 7 7.3 -40~125 14 9.5 16
58 TGV1495A-220M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 22 ±20% 8 7.2 9 -40~125 14 9.5 16
59 TGV1495A-150M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 15 ±20% 5.5 8.3 11 -40~125 14 9.5 16
60 TGV1495-220M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 22 ±20% 13.7 9.2 7 -40~125 14 9.5 16
61 TGV1495-150M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 15 ±20% 12.7 9.5 7.3 -40~125 14 9.5 16
62 TGV1495-120M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 12 ±20% 6.8 12.5 10 -40~125 14 9.5 16
63 TGV1495-8R2M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 8.2 ±20% 5.4 16 11 -40~125 14 9.5 16
64 TGV1495-6R8M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 6.8 ±20% 4.9 17.5 12 -40~125 14 9.5 16
65 TGV1495-4R7M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 4.7 ±20% 4.3 22 14 -40~125 14 9.5 16
66 TGV1480N-220M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 22 ±20% 8.2 5.2 8.7 -40~125 14 7.6 16
67 TGV1480N-180M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 18 ±20% 8.2 6.7 8.7 -40~125 14 7.6 16
68 TGV1480N-150M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 15 ±20% 7.4 7 9.1 -40~125 14 7.6 16
69 TGV1480N-100M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 10 ±20% 4.2 7 11 -40~125 14 7.6 16
70 TGV1480A-100M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 10 ±20% 4.7 9.5 10.5 -40~125 14 7.6 16
71 TGV1480-220M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 22 ±20% 10 6.2 8 -40~125 14 7.6 16
72 TGV1480-150M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 15 ±20% 10 9.5 8 -40~125 14 7.6 16
73 TGV1480-120M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 12 ±20% 10 12 8 -40~125 14 7.6 16
74 TGV1480-100M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 10 ±20% 10 14 8 -40~125 14 7.6 16
75 TGV1480-8R2M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 8.2 ±20% 8.2 15.5 8.7 -40~125 14 7.6 16
76 TGV1480-6R8M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 6.8 ±20% 8.2 21 8.7 -40~125 14 7.6 16
77 TGV1480-4R7M Induktivität für Digital AMP 1KHz/0.25V 4.7 ±20% 4.6 21 10.5 -40~125 14 7.6 16
78 TGV1415B-220M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 22 ±20% 14.3 6.9 6.8 -40~125 15.5 14 16
79 TGV1415B-180M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 18 ±20% 14.3 8.5 6.8 -40~125 15.5 14 16
80 TGV1415B-150M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 15 ±20% 13 9.3 7 -40~125 15.5 14 16
81 TGV1415B-100M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 10 ±20% 9.2 12.3 8 -40~125 15.5 14 16
82 TGV1415B-7R5M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 7.5 ±20% 8.2 14.5 9 -40~125 15.5 14 16
83 TGV1415B-6R0M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 6 ±20% 7.3 16.1 11 -40~125 15.5 14 16
84 TGV1415B-4R7M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 4.7 ±20% 6.2 17.5 13 -40~125 15.5 14 16
85 TGV1370-220M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 22 ±20% 17.9 7 5.2 -40~125 13 6.5 15
86 TGV1370-180M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 18 ±20% 16.8 8.3 5.4 -40~125 13 6.5 15
87 TGV1370-150M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 15 ±20% 15.7 9 5.6 -40~125 13 6.5 15
88 TGV1370-120M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 12 ±20% 14.6 10 5.8 -40~125 13 6.5 15
89 TGV1370-100M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 10 ±20% 9.5 10.5 7.4 -40~125 13 6.5 15
90 TGV1370-8R2M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 8.2 ±20% 8.7 12.5 7.8 -40~125 13 6.5 15
91 TGV1370-5R6M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 5.6 ±20% 5.7 14.5 11 -40~125 13 6.5 15
92 TGV1370-4R7M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 4.7 ±20% 4.9 17 11.6 -40~125 13 6.5 15
93 TGV1326B-220M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 22 ±20% 9 4.2 9.5 -40~125 26 13 15
94 TGV1326B-150M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 15 ±20% 9 5.4 9.5 -40~125 26 13 15
95 TGV1326B-100M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 10 ±20% 4.5 6.2 12 -40~125 26 13 15
96 TGV1326B-7R0M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 7 ±20% 4.5 10 12 -40~125 26 13 15
97 TGV1326B-5R6M Induktivität für Digital AMP 1KHz/1.0V 5.6 ±20% 4.5 13 12 -40~125 26 13 15
98 TGE1623-200M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 20 ±20% 22.7 10 3.8 -40~125 16.5 15 23
99 TGE1623-160M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 16 ±20% 18.2 11 5.2 -40~125 16.5 15 23
100 TGE1623-100M Induktivität für Digital AMP 100KHz/1.0V 10 ±20% 9 15 6.4 -40~125 16.5 15 23

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