Schließen

Hochstrom-Leistungsinduktivität

TGCX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 70A

TGCL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance

High Q value, high energy storage

TGPGL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Soft saturation, can handle high peak current

TGPGX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 45A

TGO

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Vertical SMD structure, saving installation space

TGK

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction,low DC resistance

Vertical DIP structure, saving installation space

TGPGL

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Exceptionally low DC resistance and core loss

Soft saturation current rating over 65A

TGPM

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current and stable frequency characteristics

Third mounting pad for greater stability and board adhesion

TGPE

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction, good heat dissipation

Magnetically shielded to minimize EMI

TGPF

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Magnetic shielding structure, low core loss

Third mounting pad for greater stability and board adhesion

TGGF

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Magnetic shielding structure, low core loss

Through-hole (TH) mounting for rugged board attachment

TGIA

Hochstrom-Leistungsinduktivität für Digital APM

Flat wire construction, low DC resistance

Magnetically shielded to minimize EMI

TGN

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume, high energy storage

High power output, low loss

TGL

Abgeschirmte Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction, low DC and AC resistance

Metal shield structure to minimize EMI

TGGE

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current load capability

Effectively reduce thermal aging

TGHX

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction with low resistance

High saturation current load capability

TGIL

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High saturation current load capability

Good insulation performance, low AC loss

TGHR

Verlustarme Hochstrom-Leistungsinduktivität

High power output, low loss

Effectively reduce thermal aging

TGIS

Abgeschirmte Hochstrom-Leistungsinduktivität

High power output, low loss

Metal shield structure to minimize EMI

TGQU

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume, high energy storage

Ultra low DC resistance

TGTB

Molding Power Choke

Ultra low DC resistance, high power output

Excellent DC bias capability

TGBB

Molding Power Choke

Excellent DC bias capability

Shield structure, suitable for high density mounting

TGIR

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

High energy storage

Ultra low DC resistance

TGBC

Molding Power Choke

Excellent DC bias capability

Low core loss at high frequency

TGQI

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume,excellent SRF characteristic, high energy storage

High-precision DC resistance, high current

TGQE

Hochfrequenz-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Small volume,excellent SRF characteristic, high energy storage

High-precision DC resistance, high current

TGSB

High current molding power chokes

Small volume, high current, suitable for high density mounting

Combined material achieves low loss

TGAG

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Assemblage design, sturdy structure.

Hot dipped Sn plating provides low risk of whisker growth.

TGDV

Leistungsdrosseln für die Automobilindustrie

Lightweight design, high Q value, low impedance

AEC-Q200 qualified

TGRV

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Symmetrical air gap , improve saturation current capability

AEC-Q200 qualified

TGUB

Low profile molding power choke

High performance (Isat) realized by metal dust core

Low loss realized with low DCR

TGD

High current power inductor for Digital AMP

2 in 1 structure, saving space

High sound quality and low distortion

TGMX

Flachdraht-Hochstrom-Leistungsinduktivität

Flat wire construction with low resistance

High power output, low loss

TGV

High current power inductor for Digital AMP

Magnetically shielded to minimize EMI

Low loss material, high power output

TGSC

High current molding power chokes

Small volume, high current, suitable for high density mounting

Combined material achieves low loss

TGE

High current power inductor for Digital AMP

Vertical 2 in 1 structure, saving space

High current, low core loss

TG

Trommelkern/SMD-Typ

Low DC resistance

Unshielded, with high inductance

TGBD

High current power inductor for Digital AMP

2 in 1 structure, saving space

High sound quality and low distortion

TGJ

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Low magnetic leakage

Wide frequency range

TGJR

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Shield structure

Wide frequency range

TGX

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Low profile design

Shield structure

TGIB

Trommelkern/SMD-Typ

Unshielded structure

Strong vibration resistance

TGEL

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Strong vibration resistance

Shield structure

TGIC

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Flat Shield structure

Suitable for high density mounting

TGY

Abschirmung/Trommelkern/SMD-Typ

Shield structure

Suitable for high density mounting

TGRZ

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGRE

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGID

Stab-Induktor

High saturation current

Low DC resistance

TGIF

Stab-Induktor

High saturation current

AEC-Q200 qualified

TGKH

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

TGSI

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

TGIJ

Shield/Drum-Kern/DIP-Typ

Shield structure, reduce EMI

Low cost and high efficiency

TGIK

Shield/Drum-Kern/DIP-Typ

Shield structure, reduce EMI

Low cost and high efficiency

TGHG

Trommelkern/DIP-Typ

Unshielded, through-hole design

Customized design is available

No. Teile-Nr. Typ Test Conditions Inductance(μH) Tolerance DCR Typical(mΩ) Isat(A) Irms(A) Working(℃) Länge Breite Höhe Datei
1 TGPGL1265-8R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 8 ±20% 10.9 14 8.5 -40~125 12.8 9.8 6.3
2 TGPGL1265-6R8M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 6.8 ±20% 9.2 15 9.5 -40~125 12.8 9.8 6.3
3 TGPGL1265-5R6M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 5.6 ±20% 8.18 16.5 11 -40~125 12.8 9.8 6.3
4 TGPGL1265-4R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 4.7 ±20% 6.16 18 12 -40~125 12.8 9.8 6.3
5 TGPGL1265-3R3M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 3.3 ±20% 5.12 21 13 -40~125 12.8 9.8 6.3
6 TGPGL1265-2R6M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 2.6 ±20% 4 24 15 -40~125 12.8 9.8 6.3
7 TGPGL1265-2R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 2.2 ±20% 3.04 26 17 -40~125 12.8 9.8 6.3
8 TGPGL1265-1R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 1.5 ±20% 2.3 32 20 -40~125 12.8 9.8 6.3
9 TGPGL1265-1R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 1 ±20% 1.5 40 24 -40~125 12.8 9.8 6.3
10 TGPGL1056-100M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 10 ±20% 16.5 6 5.8 -40~125 10.2 7.2 5.3
11 TGPGL1056-8R2M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 8.2 ±20% 13.5 6.8 6.2 -40~125 10.2 7.2 5.3
12 TGPGL1056-6R8M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 6.8 ±20% 11.7 8 7.5 -40~125 10.2 7.2 5.3
13 TGPGL1056-5R6M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 5.6 ±20% 9.3 9 8 -40~125 10.2 7.2 5.3
14 TGPGL1056-4R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 4.7 ±20% 6.85 9.5 8.5 -40~125 10.2 7.2 5.3
15 TGPGL1056-3R5M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 3.5 ±20% 5.6 11 9.5 -40~125 10.2 7.2 5.3
16 TGPGL1056-2R7M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 2.7 ±20% 4.1 13 11 -40~125 10.2 7.2 5.3
17 TGPGL1056-2R0M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 2 ±20% 2.91 15 13 -40~125 10.2 7.2 5.3
18 TGPGL1056-1R3M Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 1.3 ±20% 2.2 19 15 -40~125 10.2 7.2 5.3
19 TGAG2222-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 2.08 42 30 -40~125 22 22 22
20 TGAG2222-8R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8.8 ±20% 1.7 46 32 -40~125 22 22 22
21 TGAG2222-8R0MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8 ±20% 1.7 60 32 -40~125 22 22 22
22 TGAG2222-7R1MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 7.1 ±20% 1.47 50 35 -40~125 22 22 22
23 TGAG2222-6R5MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.5 ±20% 1.47 66 35 -40~125 22 22 22
24 TGAG2222-5R6MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 5.6 ±20% 1.1 59 40 -40~125 22 22 22
25 TGAG2222-5R1MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 5.1 ±20% 1.1 76 40 -40~125 22 22 22
26 TGAG2222-4R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.3 ±20% 0.77 62 45 -40~125 22 22 22
27 TGAG2222-3R9MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.9 ±20% 0.77 86 45 -40~125 22 22 22
28 TGAG2222-3R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.2 ±20% 0.74 76 47 -40~125 22 22 22
29 TGAG2222-2R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.8 ±20% 0.74 96 47 -40~125 22 22 22
30 TGAG2222-2R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 0.62 88 54 -40~125 22 22 22
31 TGAG2222-1R9MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.9 ±20% 0.62 113 54 -40~125 22 22 22
32 TGGE2624A-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 33 ±20% 4.2 24 20 -40~125 30 26.4 22.5
33 TGGE2624A-270MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 27 ±20% 3.9 26 22 -40~125 30 26.4 22.5
34 TGGE2624A-250MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 25 ±20% 3.6 28 23 -40~125 30 26.4 22.5
35 TGGE2624A-180MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 18 ±20% 2.7 30 24 -40~125 30 26.4 22.5
36 TGGE2624A-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 15 ±20% 2.5 33 25 -40~125 30 26.4 22.5
37 TGGE2624A-130MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.5V 13 ±20% 1.9 35 26 -40~125 30 26.4 22.5
38 TGGF3517A-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 0.52 76 52 -40~125 36 35 17
39 TGGF3517A-2R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 0.31 94 65 -40~125 36 35 17
40 TGGF3517A-1R5MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.5 ±20% 0.31 113 65 -40~125 36 35 17
41 TGGF3222A-560MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 56 ±20% 3.95 13.5 27.5 -40~125 32 30.7 22.5
42 TGGF3222A-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 2.5 28 35 -40~125 32 30.7 22.5
43 TGGF3222A-170MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 17 ±20% 2.5 33 35 -40~125 32 30.7 22.5
44 TGGF3222A-8R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8.2 ±20% 0.95 42 60 -40~125 32 30.7 22.5
45 TGGF3222A-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 0.95 72 60 -40~125 32 30.7 22.5
46 TGGF3222A-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 0.95 100 60 -40~125 32 30.7 22.5
47 TGGF3218A-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 2.3 45 40 -40~125 32 30.7 18.5
48 TGGF3218A-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 1.35 55 50 -40~125 32 30.7 18.5
49 TGGF3218A-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 1 80 55 -40~125 32 30.7 18.5
50 TGGF2919-470MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 47 ±20% 4.8 9 22 -40~125 27.5 19 21.5
51 TGGF2919-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 4.8 13 22 -40~125 27.5 19 21.5
52 TGGF2919-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 4.8 18 22 -40~125 27.5 19 21.5
53 TGGF2919-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 3.7 23 24 -40~125 27.5 19 21.5
54 TGGF2919-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 3.7 32 24 -40~125 27.5 19 21.5
55 TGGF2919-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 2.76 46 26 -40~125 27.5 19 21.5
56 TGGF2919-5R6MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 5.6 ±20% 2.76 49 26 -40~125 27.5 19 21.5
57 TGGF2919-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 2.76 60 26 -40~125 27.5 19 21.5
58 TGGF2918HA-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 2.15 10.5 30 -40~125 28 23 18.5
59 TGGF2918HA-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 2.15 15 30 -40~125 28 23 18.5
60 TGGF2918HA-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 2.15 24 30 -40~125 28 23 18.5
61 TGGF2918HA-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 2.15 33 30 -40~125 28 23 18.5
62 TGGF2918HA-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 2.15 48 30 -40~125 28 23 18.5
63 TGGF2918HA-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 2.15 65 30 -40~125 28 23 18.5
64 TGGF2918HA-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 2.15 94 30 -40~125 28 23 18.5
65 TGGF2915LA-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 1.2 3.3 34 -40~125 27.9 23 15.4
66 TGGF2915LA-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 1.2 6.8 34 -40~125 27.9 23 15.4
67 TGGF2915LA-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 1.2 11 34 -40~125 27.9 23 15.4
68 TGGF2915LA-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 1.2 17.6 34 -40~125 27.9 23 15.4
69 TGGF2915LA-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 1.2 27.8 34 -40~125 27.9 23 15.4
70 TGGF2915LA-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 1.2 39 34 -40~125 27.9 23 15.4
71 TGGF2915LA-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 1.2 57 34 -40~125 27.9 23 15.4
72 TGGF2915LA-2R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 1.2 84.8 34 -40~125 27.9 23 15.4
73 TGGF2915LA-1R5MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.5 ±20% 1.2 100 34 -40~125 27.9 23 15.4
74 TGGF2915HA-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 1.45 5.9 32 -40~125 27.9 23 15.4
75 TGGF2915HA-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 1.45 9.6 32 -40~125 27.9 23 15.4
76 TGGF2915HA-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 1.45 15 32 -40~125 27.9 23 15.4
77 TGGF2915HA-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 1.45 23 32 -40~125 27.9 23 15.4
78 TGGF2915HA-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 1.45 36 32 -40~125 27.9 23 15.4
79 TGGF2915HA-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 1.45 50 32 -40~125 27.9 23 15.4
80 TGGF2915HA-3R3MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.3 ±20% 1.45 68 32 -40~125 27.9 23 15.4
81 TGGF2915HA-2R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 1.45 100 32 -40~125 27.9 23 15.4
82 TGGF2016A-470MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 47 ±20% 13 6.5 12 -40~125 21.8 21 16.5
83 TGGF2016A-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 13 9 12 -40~125 21.8 21 16.5
84 TGGF2016A-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 5.28 10 16 -40~125 21.8 21 16.5
85 TGGF2016A-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 5.28 24 16 -40~125 21.8 21 16.5
86 TGGF2016A-8R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8.2 ±20% 3.57 25 20 -40~125 21.8 21 16.5
87 TGGF2016A-6R8MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 6.8 ±20% 3.57 25 20 -40~125 21.8 21 16.5
88 TGGF2016A-4R7MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.7 ±20% 3.3 42 21 -40~125 21.8 21 16.5
89 TGGF2014A-470MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 47 ±20% 10 8.5 11.5 -40~125 21.8 18 14.5
90 TGGF2014A-330MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 33 ±20% 9.28 11 12 -40~125 21.8 18 14.5
91 TGGF2014A-220MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 22 ±20% 8.6 15 12.5 -40~125 21.8 18 14.5
92 TGGF2014A-150MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 15 ±20% 7.1 21 14 -40~125 21.8 18 14.5
93 TGGF2014A-100MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 10 ±20% 6.5 23 16 -40~125 21.8 18 14.5
94 TGGF2014A-8R6MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 8.6 ±20% 5.9 25 17 -40~125 21.8 18 14.5
95 TGGF2014A-7R0MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 7 ±20% 4.25 30 21 -40~125 21.8 18 14.5
96 TGGF2014A-5R5MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 5.5 ±20% 3.3 33 22 -40~125 21.8 18 14.5
97 TGGF2014A-4R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 4.2 ±20% 2.54 38 24 -40~125 21.8 18 14.5
98 TGGF2014A-3R1MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 3.1 ±20% 1.92 45 26 -40~125 21.8 18 14.5
99 TGGF2014A-2R2MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 2.2 ±20% 1.32 52 30.5 -40~125 21.8 18 14.5
100 TGGF2014A-1R4MC Hochstrom-Leistungsinduktivität 100KHz/0.1V 1.4 ±20% 0.86 60 31.5 -40~125 21.8 18 14.5

Mit über 10 Jahren Erfahrung stellen wir sicher, dass Sie die beste Beratung erhalten.

ANGEBOT ANFORDERN